CBSE
Cr થી Cu તરફ જતાં કેન્દ્રનો ધન વીજભાર વધતો જાય છે.
4s કક્ષકમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન કેન્દ્ર તરફ વધુ આકર્ષાય છે.
3d કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોન-ઇલેક્ટ્રોન વચ્ચેના અપાકર્ષણનું મૂલ્ય
4s કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોન રહેલા ઇલેક્ટ્રોન વચ્ચેના અપાકર્ષણનું મૂલ્ય
25
28
27
26
Cu, Cr
Cr, Mn
Mn, Zn
Cu, Zn
વિધાન અને કારણ સાચાં છે. કારણ એ વિધાન ની સમજૂતી છે.
વિધાન અને કારણ સાચાં છે. કારણ એ વિધાન ની સમજૂતી નથી.
વિધાન સાચું છે જ્યારે કારણ ખોટું
A.
વિધાન અને કારણ સાચાં છે. કારણ એ વિધાન ની સમજૂતી છે.
મુક્ત સ્વરૂપે
ઍસિડિક માધ્યમ
બેઝિક માધ્યમ
જલીય માધ્યમ
વિદ્યુતધ્રુવ પોટેન્શિયલ
આયનીકરણ એન્થાલ્પી
આયનીકરણ ત્રિજ્યા
ધાત્વિય ગુણ
શિલ્ડિંગ અસર કેન્દ્રના ઘન વીજભારનું 4s કક્ષકના ઇલેક્ટ્રોન પ્રત્યેનું અપાકર્ષણ ઘટાડે છે.
કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોન-ઇલેક્ટ્રોન વચ્ચેના અપાકર્ષણનું મૂલ્ય કેન્દ્ર અને 4s કક્ષકના ઇલેક્ટ્રોનના આકર્ષણ મૂલ્યથી વધી જાય છે.
Zn માં કક્ષનું વિસ્તરણ થાય છે.
Zn પરમાણુની 3d કક્ષકસંપૂર્ણ ભરાયેલી હોય છે.
પરમાણ્વિય ત્રિજ્યા
ઈલક્ટ્રૉન-ઈલેક્ટ્રૉન વચ્ચેના અપાકર્ષનણ બળ
ધાત્વીય ગુણ
આયનીકરણ એન્થાલ્પીની માત્રા
પરમાણ્વિય ત્રિજ્યાનો સાચો ક્રમ દર્શાવો.
V > Mn = Cu < Zn
V < Mn < Cu < Zn
V > Mn > Cu > Zn
V > Mn = Cu < Zn
રિડક્શન પૉટેન્શિયલનુ ઋણ મૂલ્ય વધુ.
ઑક્સિડેશન પૉટેંશિયલનું ઋણ મુલ્ય વધુ
ઑક્શિડેશન પોટેંશિયલનું ધન મૂલ્ય ઓછું.
રિડક્શન પોટેન્શિયલનું ઋણ મુલ્ય વધુ.