CBSE
34
16
18
20
16
14
10
11
A.
16
Z = 20 ધરાવતું તત્વ 2, 8, 8, 2 પ્રકારની ઈલેક્ટ્રોન રચના ધરાવે છે. આ તત્વ 2 ઈલેક્ટ્રોન ગુમાવવાની વૃત્તિ ધરાવે છે. સમુહ 16 ના તત્વની બાહ્યતમ કક્ષામાં 6 ઈલેક્ટ્રોન છે જે બે ઈલેક્ટ્રૉન મેળવવાની વૃત્તિ ધરાવે છે, જેથી આસાનીથી આયનીય બંધ રચાઈ શકે છે.
Z = 20 ધરાવતું તત્વ 2, 8, 8, 2 પ્રકારની ઈલેક્ટ્રોન રચના ધરાવે છે. આ તત્વ 2 ઈલેક્ટ્રોન ગુમાવવાની વૃત્તિ ધરાવે છે. સમુહ 16 ના તત્વની બાહ્યતમ કક્ષામાં 6 ઈલેક્ટ્રોન છે જે બે ઈલેક્ટ્રૉન મેળવવાની વૃત્તિ ધરાવે છે, જેથી આસાનીથી આયનીય બંધ રચાઈ શકે છે.
KFમાં F-ની આયનીય ત્રિજ્યા F કરતાં વધુ છે, તો K+ ની આયનીય ત્રિજ્યા ..............
F- કરતાં વધુ
F- જેટલી
K કરતાં ઓછી
એકેય નહી
XCl
X3Cl
XCl2
XCl3
શેમાં વિદ્યુત સંયોજક બંધ રચાય છે ?
GCHGJ12119821, |
NaCl
PF5
XeF4
Br2
એક ધાતુંના ફૉસ્ફેટ સંયોજનનું અણુસૂત્ર MPO4 છે, તો તે ધાતુના નાઇટ્રેટ સંયોજનનું અણુસૂત્ર ........... થાય.
MnO3
M2(NO3)2
M(NO3)3
M(NO3)
નીચેના પૈકી શેનું ગનલબિંદુ સૌથી વધુ હશે ?
NaBr
Nal
NaF
NaCl
એક ધાતુના ઑક્સાઇડનું અણુસૂત્ર MO છે, તો તે ધાતુના ફૉસ્ફેટ સંયોજનનું અણુસૂત્ર ........... થાય.
MnO3
M2(NO3)2
M(NO3)3
M3(PO4)2
z
w
x
y
RbCl, MgCl2
MgCl2, BeCl2
RbCl, BeCl2
LiCl, RbCl