CBSE
16
14
10
11
A.
16
Z = 20 ધરાવતું તત્વ 2, 8, 8, 2 પ્રકારની ઈલેક્ટ્રોન રચના ધરાવે છે. આ તત્વ 2 ઈલેક્ટ્રોન ગુમાવવાની વૃત્તિ ધરાવે છે. સમુહ 16 ના તત્વની બાહ્યતમ કક્ષામાં 6 ઈલેક્ટ્રોન છે જે બે ઈલેક્ટ્રૉન મેળવવાની વૃત્તિ ધરાવે છે, જેથી આસાનીથી આયનીય બંધ રચાઈ શકે છે.
Z = 20 ધરાવતું તત્વ 2, 8, 8, 2 પ્રકારની ઈલેક્ટ્રોન રચના ધરાવે છે. આ તત્વ 2 ઈલેક્ટ્રોન ગુમાવવાની વૃત્તિ ધરાવે છે. સમુહ 16 ના તત્વની બાહ્યતમ કક્ષામાં 6 ઈલેક્ટ્રોન છે જે બે ઈલેક્ટ્રૉન મેળવવાની વૃત્તિ ધરાવે છે, જેથી આસાનીથી આયનીય બંધ રચાઈ શકે છે.
એક ધાતુંના ફૉસ્ફેટ સંયોજનનું અણુસૂત્ર MPO4 છે, તો તે ધાતુના નાઇટ્રેટ સંયોજનનું અણુસૂત્ર ........... થાય.
MnO3
M2(NO3)2
M(NO3)3
M(NO3)
KFમાં F-ની આયનીય ત્રિજ્યા F કરતાં વધુ છે, તો K+ ની આયનીય ત્રિજ્યા ..............
F- કરતાં વધુ
F- જેટલી
K કરતાં ઓછી
એકેય નહી
XCl
X3Cl
XCl2
XCl3
નીચેના પૈકી શેનું ગનલબિંદુ સૌથી વધુ હશે ?
NaBr
Nal
NaF
NaCl
z
w
x
y
એક ધાતુના ઑક્સાઇડનું અણુસૂત્ર MO છે, તો તે ધાતુના ફૉસ્ફેટ સંયોજનનું અણુસૂત્ર ........... થાય.
MnO3
M2(NO3)2
M(NO3)3
M3(PO4)2
RbCl, MgCl2
MgCl2, BeCl2
RbCl, BeCl2
LiCl, RbCl
શેમાં વિદ્યુત સંયોજક બંધ રચાય છે ?
GCHGJ12119821, |
NaCl
PF5
XeF4
Br2
34
16
18
20