NEET Chemistry : d અને f વિભાગના તત્વો

• મુક્ત સ્વરૂપે

• ઍસિડિક માધ્યમ 

• બેઝિક માધ્યમ 

• જલીય માધ્યમ

• વિધાન અને કારણ સાચાં છે. કારણ  એ વિધાન ની સમજૂતી છે.

• વિધાન અને કારણ સાચાં છે. કારણ એ વિધાન ની સમજૂતી નથી. 

• વિધાન સાચું છે જ્યારે કારણ ખોટું 

• Cu, Cr

• Cr, Mn

• Mn, Zn

• Cu, Zn

• વિદ્યુતધ્રુવ પોટેન્શિયલ

• આયનીકરણ એન્થાલ્પી 

• આયનીકરણ ત્રિજ્યા 

• ધાત્વિય ગુણ 

• પરમાણ્વિય ત્રિજ્યા

• ઈલક્ટ્રૉન-ઈલેક્ટ્રૉન વચ્ચેના અપાકર્ષનણ બળ 

• ધાત્વીય ગુણ

• આયનીકરણ એન્થાલ્પીની માત્રા 

• શિલ્ડિંગ અસર કેન્દ્રના ઘન વીજભારનું 4s કક્ષકના ઇલેક્ટ્રોન પ્રત્યેનું અપાકર્ષણ ઘટાડે છે. 

• કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોન-ઇલેક્ટ્રોન વચ્ચેના અપાકર્ષણનું મૂલ્ય કેન્દ્ર અને 4s કક્ષકના ઇલેક્ટ્રોનના આકર્ષણ મૂલ્યથી વધી જાય છે. 

• Zn માં કક્ષનું વિસ્તરણ થાય છે. 

• Zn પરમાણુની 3d કક્ષકસંપૂર્ણ ભરાયેલી હોય છે.

પરમાણ્વિય ત્રિજ્યાનો સાચો ક્રમ દર્શાવો.

• V > Mn = Cu < Zn

• V < Mn < Cu < Zn

• V > Mn > Cu > Zn

• V > Mn = Cu < Zn

• 25

• 28

• 27

• 26

• રિડક્શન પૉટેન્શિયલનુ ઋણ મૂલ્ય વધુ.

• ઑક્સિડેશન પૉટેંશિયલનું ઋણ મુલ્ય વધુ 

• ઑક્શિડેશન પોટેંશિયલનું ધન મૂલ્ય ઓછું.

• રિડક્શન પોટેન્શિયલનું ઋણ મુલ્ય વધુ. 

• Cr થી Cu તરફ જતાં કેન્દ્રનો ધન વીજભાર વધતો જાય છે. 

• 4s કક્ષકમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન કેન્દ્ર તરફ વધુ આકર્ષાય છે. 

• 3d કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોન-ઇલેક્ટ્રોન વચ્ચેના અપાકર્ષણનું મૂલ્ય 

• 4s કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોન રહેલા ઇલેક્ટ્રોન વચ્ચેના અપાકર્ષણનું મૂલ્ય